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stractor

金虫 (著名写手)

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注册: 2007-06-06
专业: 半导体材料

[交流] 【其他】关于VASP5.2使用杂化泛函已有1人参与

我最近关注到几篇文章，是采用HSE的杂化泛函研究半导体中的缺陷。HSE这个杂化泛函计算带隙还算比较准。比如Wurtzite结构的ZnO,HSE这种杂化泛函计算出来的带隙为3.35eV,PBE泛函计算的带隙却为0.73eV,实验值为3.40eV(参看C. G. Van de Walle，Materials Department, University of California, Santa Barbara组近一年的文章）。
我想试试VASP5.2中的HSE,请问有人使用过这个泛函吗？需要如何设置？

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杂七杂八

杂化泛函方面的研究

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1楼 2010-04-06 16:51:15

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漂泊四方

金虫 (小有名气)

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专业: 理论和计算化学

★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
gavinliu7390(金币+3):谢谢解答！ 2010-04-07 12:33

HSE06设置比较简单，我用来算过VO2，结果还可以接受。
LHFCALC = .TRUE. ; HFSCREEN = 0.2
ALGO = Damped ; TIME = 0.4

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我与我纠缠久

2楼2010-04-06 17:43:24