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stractor金虫 (著名写手)
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【其他】关于VASP5.2使用杂化泛函 已有1人参与
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我最近关注到几篇文章，是采用HSE的杂化泛函研究半导体中的缺陷。HSE这个杂化泛函计算带隙还算比较准。比如Wurtzite结构的ZnO,HSE这种杂化泛函计算出来的带隙为3.35eV,PBE泛函计算的带隙却为0.73eV,实验值为3.40eV(参看C. G. Van de Walle，Materials Department, University of California, Santa Barbara组近一年的文章）。 我想试试VASP5.2中的HSE,请问有人使用过这个泛函吗？需要如何设置？ |
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 杂七杂八 | 杂化泛函方面的研究 |
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