24小时热门版块排行榜    

查看: 339  |  回复: 2
当前主题已经存档。

abcy618

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】立方相半导体CdS的禁带宽度?

平时我们查到的半导体CdS的禁带宽度室温下为2.42eV,这个应该是指六方相晶体结构CdS的禁带宽度吧?

  有哪位仁兄可以告诉立方相半导体CdS的禁带宽度的实验数据啊?

  或者是难道我对这个问题理解错了。因为我建了个立方相的CdS模型算出其禁带宽度约为1.24eV.我想对比实验数据检验我这个模型错没有?

        谢谢。


刚才想了下

这个禁带宽度跟晶向也有关吧

体材料不同方向的能带结构不同 禁带宽度会不同吧

可是我们平时指的禁带宽度是指哪个方向呢

还是我思考又错误了?
回复此楼
上帝喜欢掷骰子
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mingtao

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
如果是密度泛函理论计算,计算的带隙一般都比真实的带隙小。
实际上能带带隙是导带最低与价带最高的差,导带最低和价带最高在k空间可能具有不同的k值,因此有直接带隙和间接带隙的区别。不同的方向上E-k关系不同,因此不同的方向电子的有效质量也是有所区别的。我理解实际上能带结构图是某种投影。可以看看固体能带理论。
2楼2010-03-30 21:29:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

abcy618

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by mingtao at 2010-03-30 21:29:34:
如果是密度泛函理论计算,计算的带隙一般都比真实的带隙小。
实际上能带带隙是导带最低与价带最高的差,导带最低和价带最高在k空间可能具有不同的k值,因此有直接带隙和间接带隙的区别。不同的方向上E-k关系不同 ...

嗯,最近我看了相关书籍。基本搞懂了。
谢谢!!
上帝喜欢掷骰子
3楼2010-03-31 10:35:51
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 abcy618 的主题更新
普通表情 高级回复 (可上传附件)
信息提示
请填处理意见