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luanzx6588

木虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】关于硅的再充放电过程中的开裂

由于硅的电子导电能力较差,充放电过程中电子在硅中的传输速率较慢,因而易导致硅颗粒的体积膨胀不均匀,发生开裂现象。。。又没人文章专门从微观领域来专门讲解这个开裂现象的··或者哪位高手能给解释下?
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风隐幻

木虫 (正式写手)

luanzx6588(金币+3):有道理!!! 2010-03-28 12:16
开裂是体积膨胀、收缩太大,产生应力,应力造成颗粒破裂,关于应力的变化和测试可以在Sciencedirect上可以搜到。
关于晶体结构的变化多用XRD检测,进阐述结构的变化,不涉及应力变化,已经有较多的文献了。
Si为四面体稳定结构,Li的嵌入打破了Si的四面体稳定结构,最终使得Si之间不能连接成稳定的骨架,从典型的共价键向离子键转变
9楼2010-03-28 00:25:34
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vvxd

铜虫 (正式写手)

楼上是用Si做Li电池负极的吗
dsd
2楼2010-03-24 17:31:37
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

是··老板要科学问题··老骂我说这些基本问题都解决不了··郁闷啊
3楼2010-03-24 17:34:44
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

没人懂···还是没人理···
4楼2010-03-25 10:00:11
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