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luanzx6588

木虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】关于硅的再充放电过程中的开裂

由于硅的电子导电能力较差,充放电过程中电子在硅中的传输速率较慢,因而易导致硅颗粒的体积膨胀不均匀,发生开裂现象。。。又没人文章专门从微观领域来专门讲解这个开裂现象的··或者哪位高手能给解释下?
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vvxd

铜虫 (正式写手)

楼上是用Si做Li电池负极的吗
dsd
2楼2010-03-24 17:31:37
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

是··老板要科学问题··老骂我说这些基本问题都解决不了··郁闷啊
3楼2010-03-24 17:34:44
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

没人懂···还是没人理···
4楼2010-03-25 10:00:11
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585685

木虫 (著名写手)

luanzx6588(金币+1): 2010-03-26 15:20
开裂,就是充放电过程中的结构转变吧,比如由晶形向无定形转变。对此你可以进行XRD分析,充放电前后XRD进行对比,看结构规整性以及晶粒颗粒尺寸变化(半高宽)。所以对此改善方法有导电物质包覆以及合金化等。
说了多少回了!!!!!!!!做人要厚道!!!!!!!
5楼2010-03-26 10:46:25
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

谢谢你的回复,你说的这个我明白·我只是想知道他是怎么转化的为什么这么转化··貌似做这方面的很少··感觉别的文章都是在人云亦云·都没有真正的去讲解
6楼2010-03-26 15:22:20
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585685

木虫 (著名写手)

luanzx6588(金币+3):真知识··咱没有·· 2010-03-28 12:17
应该是能量最低原则,也就是结构在受到外力的时候,会倾向于向能量最低的方式排列。至于具体数值以及吉布斯自由能大小变化,属于理论研究了,这可需要真知识了。
说了多少回了!!!!!!!!做人要厚道!!!!!!!
7楼2010-03-26 15:31:02
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rene1988

银虫 (正式写手)

luanzx6588(金币+1):谢谢了,我找找看 2010-03-28 12:17
luanzx6588(金币+2): 2010-03-28 12:17
看dahn的文章,研究Si负极结构变化的有一大堆
引用回帖:
Originally posted by luanzx6588 at 2010-03-26 15:22:20:
谢谢你的回复,你说的这个我明白·我只是想知道他是怎么转化的为什么这么转化··貌似做这方面的很少··感觉别的文章都是在人云亦云·都没有真正的去讲解

8楼2010-03-26 15:36:26
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风隐幻

木虫 (正式写手)

luanzx6588(金币+3):有道理!!! 2010-03-28 12:16
开裂是体积膨胀、收缩太大,产生应力,应力造成颗粒破裂,关于应力的变化和测试可以在Sciencedirect上可以搜到。
关于晶体结构的变化多用XRD检测,进阐述结构的变化,不涉及应力变化,已经有较多的文献了。
Si为四面体稳定结构,Li的嵌入打破了Si的四面体稳定结构,最终使得Si之间不能连接成稳定的骨架,从典型的共价键向离子键转变
9楼2010-03-28 00:25:34
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