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qgqgrm木虫 (小有名气)
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【求助】过渡元素氧化物计算
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最近计算过渡金属氧化物的电子结构，结果与文献报道有较大偏差。以前没有做过过渡金属的计算，没有经验，不知问题在哪儿，请高手指教。 以Ta2O5为例，Ta外层电子为5d36s2，所建单胞包括两个Ta2O5分子。文献报道其带隙约为4.0eV。在计算时不加U，初始用LDA几何优化，未设置自旋极化，态密度显示带隙约为零，如下图1；对几何优化后结果的d电子加U 2eV，态密度显示为金属，如下图2。本人猜测可能是自旋设置问题，在setup界面设置初始自旋为12，结果均与文献报道值偏差较大。目前正在计算初始自选为3，但感觉肯定是哪里有问题，但有找不出。问题到底在哪儿呢？  图1 LDA  图2 LDA+U 2.0eV  图3 LDA+U 2.0eV 自旋12 [ Last edited by qgqgrm on 2010-3-24 at 11:01 ] |
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