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qgqgrm木虫 (小有名气)
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【求助】过渡元素氧化物计算
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最近计算过渡金属氧化物的电子结构，结果与文献报道有较大偏差。以前没有做过过渡金属的计算，没有经验，不知问题在哪儿，请高手指教。 以Ta2O5为例，Ta外层电子为5d36s2，所建单胞包括两个Ta2O5分子。文献报道其带隙约为4.0eV。在计算时不加U，初始用LDA几何优化，未设置自旋极化，态密度显示带隙约为零，如下图1；对几何优化后结果的d电子加U 2eV，态密度显示为金属，如下图2。本人猜测可能是自旋设置问题，在setup界面设置初始自旋为12，结果均与文献报道值偏差较大。目前正在计算初始自选为3，但感觉肯定是哪里有问题，但有找不出。问题到底在哪儿呢？  图1 LDA  图2 LDA+U 2.0eV  图3 LDA+U 2.0eV 自旋12 [ Last edited by qgqgrm on 2010-3-24 at 11:01 ] |
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4楼2010-03-25 06:58:12
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qgqgrm(金币+1):谢谢参与
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qli0218(金币+3):感谢！ 2010-03-25 11:39
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第一，把LDA变为GGA或是杂化泛函试试。 第二，如果考虑U值，对于U值大小，正如LSS所说，一般5-7eV是比较好的选择，如果不行再大些亦可以。 第三，如果通过加U的方法考虑过d带中关联效应后结果仍然不行。那么你恐怕就要具体考虑体系的磁结构了，比如是铁磁还是亚铁磁还是反铁磁，而不同磁序的设置不能仅仅通过改变晶胞总的自旋多重度来体现。 第四，不知道你的晶胞结构和其中的原子排布是怎么得到的，是实验文献上给出了具体的原子排布？还是你自己画的或是通过修改一个已知的晶体结构得到的？也就是你必须确定晶体的具体结构再优化。如果实验上没有提供可靠的结构信息，恐怕一些常见的晶格结构都要考虑一下。由于实验总是在有限温，而有限温的晶格结构与绝对0温时可能会不一样（例如可能有结构相变），这些影响在计算中都要考虑。 |
5楼2010-03-25 09:32:06
