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qgqgrm

木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】过渡元素氧化物计算

最近计算过渡金属氧化物的电子结构,结果与文献报道有较大偏差。以前没有做过过渡金属的计算,没有经验,不知问题在哪儿,请高手指教。
以Ta2O5为例,Ta外层电子为5d36s2,所建单胞包括两个Ta2O5分子。文献报道其带隙约为4.0eV。在计算时不加U,初始用LDA几何优化,未设置自旋极化,态密度显示带隙约为零,如下图1;对几何优化后结果的d电子加U 2eV,态密度显示为金属,如下图2。本人猜测可能是自旋设置问题,在setup界面设置初始自旋为12,结果均与文献报道值偏差较大。目前正在计算初始自选为3,但感觉肯定是哪里有问题,但有找不出。问题到底在哪儿呢?


图1 LDA

图2 LDA+U 2.0eV

图3 LDA+U 2.0eV 自旋12

[ Last edited by qgqgrm on 2010-3-24 at 11:01 ]
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孜孜以求
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★ ★ ★
qgqgrm(金币+1):谢谢参与
qgqgrm(金币+1): 2010-03-25 09:39
qli0218(金币+3):感谢! 2010-03-25 11:39
第一,把LDA变为GGA或是杂化泛函试试。
第二,如果考虑U值,对于U值大小,正如LSS所说,一般5-7eV是比较好的选择,如果不行再大些亦可以。
第三,如果通过加U的方法考虑过d带中关联效应后结果仍然不行。那么你恐怕就要具体考虑体系的磁结构了,比如是铁磁还是亚铁磁还是反铁磁,而不同磁序的设置不能仅仅通过改变晶胞总的自旋多重度来体现。
第四,不知道你的晶胞结构和其中的原子排布是怎么得到的,是实验文献上给出了具体的原子排布?还是你自己画的或是通过修改一个已知的晶体结构得到的?也就是你必须确定晶体的具体结构再优化。如果实验上没有提供可靠的结构信息,恐怕一些常见的晶格结构都要考虑一下。由于实验总是在有限温,而有限温的晶格结构与绝对0温时可能会不一样(例如可能有结构相变),这些影响在计算中都要考虑。
5楼2010-03-25 09:32:06
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qgqgrm

木虫 (小有名气)

怎么没有人回啊?自己顶一下!
孜孜以求
2楼2010-03-24 15:24:36
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fo3mt2

金虫 (小有名气)

★ ★
qgqgrm(金币+1):谢谢参与
ice_rain(金币+1):xiexie~ 2010-03-24 21:46
引用回帖:
Originally posted by qgqgrm at 2010-03-24 10:18:29:
最近计算过渡金属氧化物的电子结构,结果与文献报道有较大偏差。以前没有做过过渡金属的计算,没有经验,不知问题在哪儿,请高手指教。
以Ta2O5为例,Ta外层电子为5d36s2,所建单胞包括两个Ta2O5分子。文献报道其 ...

楼主可以尝试将U参数值增加到5~7的范围,我觉得2~3太小了。
3楼2010-03-24 17:09:36
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qgqgrm

木虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by fo3mt2 at 2010-03-24 17:09:36:


楼主可以尝试将U参数值增加到5~7的范围,我觉得2~3太小了。

谢谢您的回复。我这就试试。请问关于自选的设置有没有什么需要注意的地方或者好的建议啊?
孜孜以求
4楼2010-03-25 06:58:12
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