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田山东

捐助贵宾 (著名写手)

[交流] 【求助】关于二次量子化的详细请教(没看懂高量)

用紧束缚模型求解石墨烯能带结构,用二次量子化表示哈密顿量
石墨烯从结构上看,由两种原子A和B构成。用a、b表示A、B原子的湮灭算符,相应产生算符表示为a+,b+。哈密顿量我表示如下:
      H=-u(a+)b-w(b+)a
这里w,u我代表的是一个常数,要对哈密顿量进行对角化,选择基矢(a+)|0>,(b+)|0>
对角化的结果:
<0|a H (a+)|0>=0.............(1)
<0|b H (b+)|0>=0.............(2)
<0|a H (b+)|0>=-u..............(3)
<0|b H (a+)|0>=-w...............(4)
问题来了,对于二粒子问题,不知道该怎么办了。举个例子吧:
对第一个公式:
<0|a H (a+)|0>=<0|a(-u(a+)b-w(b+)a)(a+)|0>=-u<0|a (a+)b (a+)|0>-w<0|a (b+)a (a+)|0>
=0对吗?这个该怎么算呢?
我想运算应该是从右边第一个开始吧!先看一部分吧:<0|a (a+)b (a+)|0>
b(a+)|0>=b|1>=0
a是作用在A原子上的算符,它能再跟b作用吗?作用的效果相同?在高量上就看到一点二粒子体系的产生、湮灭算符,没细讲解。请问我该怎么算啊?
<0|a (a+)跟0|0>作用是得到0吗?谁能帮小弟解释下第一个公式怎么算也行啊。这方面的教材或者文献有提供的更好了。高量看了,不懂!
问题一:<0|0>=0这是什么都没有的态,对吗?
问题二:a|0>=0这是把真空态给湮灭了,对吗?
问题三:(a+)|0>=|1>,这是产生一个粒子的情形,这样对不?
问题四:<0|a|0>=0这样写对不?
问题五:<0|(a+)|0>=<0|1>=0,由正交归一得到这样结论,这样解释对不?结果对不?大家帮忙解答吧。针对每个问题只要写清题号就可以了。不知道怎么发金币了哈

[ Last edited by 田山东 on 2010-3-20 at 19:43 ]
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everythinghasitsseason.enjoyyourlife.
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

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小木虫:)(金币+5):3q 2010-03-21 15:47
简单说说我的看法,但是未必正确,LZ可以仅作参考。
1.不知道LZ的哈密顿量是怎么来的。但是你的哈密顿量我觉得有些问题。你所给的哈密顿量不是厄米算符,除非u=w。而如果u=w,则这个哈密顿就是一个简单的“单模”哈密顿,一般可以用U-V变换来求解,你的这种用真空态做H矩阵来求解能量的做法是错误的。
关于石墨烯紧束缚哈密顿很多文献上都有,最简单的也要有两项,例如对角项和最近邻格点的跃迁项等等。当然根据你所研究的问题可以对哈密顿进行一些修正(比如增加一些项,来体现在石墨烯中不同的“物理”现象),例如可以通过哈密顿中参数设置来考虑“无序”的影响,比如对角无序,非对角无序等等(当然这个要编程实现,编程中还要考虑边界条件,例如开放性边界或是周期边界等等,这里暂不多论)。总之你把你的哈密顿量在检查检查。

2.抛开具体问题,你最后的五个问题可以做如下回答
问题一::<0|0>=0是错误的,应该是:<0|0>=1,即表示真空态是归一的。
问题二:a|0>=0这个式子是对的,表示湮灭算符作用在真空态上结果是0。
问题三:对
问题四:对
问题五:对

另外,对于诸如<0|a (a+)b (a+)|0>的项,如果你以后对二次量子化熟悉的话,这种项一看就知道是0,因为当中a的产生和湮灭算符不成对,无论怎么算,最后两个态肯定是正交的。

好了,先说这么多。建议楼主有时间在看一看书。另外,关于石墨烯的TB哈密顿你再找找文献吧。

个人意见,仅供参考。
2楼2010-03-20 21:27:07
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xia_chong

金虫 (文坛精英)

优秀版主

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小木虫:)(金币+3):3q 2010-03-21 15:47
问题一:<0|0>=0这是什么都没有的态,对吗?
不对,=1,归一化
问题二:a|0>=0这是把真空态给湮灭了,对吗?
不对,真空态是能级最低的态了,湮灭算符作用上去为0。
问题三:(a+)|0>=|1>,这是产生一个粒子的情形,这样对不?
不完全对,一般前面有个因子的,我不记得是多少了。
问题四:<0|a|0>=0这样写对不?
对,因为a|0>=0;
问题五:<0|(a+)|0>=<0|1>=0
可以这么理解,但根本上是因为a|0>=0,<0|a(+)=0。
Godhelpsthosewhohelpthemselves!
3楼2010-03-20 21:59:57
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kramerb

木虫 (正式写手)


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二楼高手啊,最近也在看一些graphene 方面的文献,主要是做电子输运问题。
这种问题一般采用紧束缚格林函数处理,就是按二楼所说的讲graphene的哈密顿H写成矩阵的形式求格林函数,两边加电极(source and drain),电极做自能处理,现在的问题是自能怎么表示?自能一般就和一个格点(即与电极接触的)有关,文献上讲只需要求出电极中与graphene接触那个格点的格林函数g。这个g怎么求?
4楼2010-03-20 22:20:47
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wzhiqustc

金虫 (小有名气)


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引用回帖:
Originally posted by kramerb at 2010-03-20 22:20:47:
二楼高手啊,最近也在看一些graphene 方面的文献,主要是做电子输运问题。
这种问题一般采用紧束缚格林函数处理,就是按二楼所说的讲graphene的哈密顿H写成矩阵的形式求格林函数,两边加电极(source and drain) ...

NEGF方法,非平衡格林函数方法
5楼2010-03-26 19:02:45
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