应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 催化反应 » 【求助】求教专业高人：关于光催化的基础知识
51/1返回列表
查看: 1251  |  回复: 8
只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

bhcsmay

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】求教专业高人：关于光催化的基础知识已有1人参与

材料专业的刚刚入门光催化，基础知识浅薄，特来此求教各位高人

1.下图中半导体的能带宽度和能带边缘电位示意图中能带边缘的确定方法，也就是说，图中第一条虚线既零点应该是H的电极电位0，另一条虚线应该是O的电极电位1.229 eV，那么VBM和CBM的位置是以什么为标准画出来的呢？请以ZnO为例予以说明，不胜感激！

2.另外半导体中掺杂的时候，如何确定掺杂离子对光催化活性是有利的还是有害的呢？也就是说怎样判断掺杂离子是抑制还是增强了简单复合呢？如果采用的是计算机模拟的方法，怎样才能说明这一点呢，谢谢！

[ Last edited by bhcsmay on 2010-3-10 at 09:36 ]
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼2010-03-10 09:34:29
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

werwr

铜虫 (正式写手)
bhcsmay(金币+2):谢谢，期待详细的解答！ 2010-03-10 15:30
doping can ehance the catalytic performance of ZnO, but it depends on the dopant amount.  I tried ZnO using Nitrogen doping, it works; and for TiO2, no enhancement observed.
赞一下 回复此楼
新的开始，好好努力
3楼2010-03-10 14:48:46
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 9 个回答

bhcsmay

金虫 (正式写手)
自己顶一下，强烈呼唤高人的帮助啊！！！
赞一下 回复此楼
2楼2010-03-10 10:23:44
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

werwr

铜虫 (正式写手)
bhcsmay(金币+3):谢谢，期待更详细的解答！ 2010-03-10 15:30
VB and CB, should be versus NHE (normal hydrogen electrode), and at some PH。
赞一下 回复此楼
新的开始，好好努力
4楼2010-03-10 14:56:49
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

bhcsmay

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by werwr at 2010-03-10 14:48:46:
doping can ehance the catalytic performance of ZnO, but it depends on the dopant amount.  I tried ZnO using Nitrogen doping, it works; and for TiO2, no enhancement observed.

谢谢，不过感觉这个说法对我这个初学者来说不是很明确，依赖于杂质数量是肯定的，但是我想问的是你用什么方法判断出来杂质提高了光催化性能呢？不是实验中怎样做，而是指在计算机模拟当中，还有第一个问题应该在催化领域是比较基础的知识吧，我找了很多资料都是作为基础知识给出的，但是对于我这个外行来说还是看不懂，VB和CB相对于H和O的电极电位的大小是如何确定的，能否解答一下呢？

[ Last edited by bhcsmay on 2010-3-10 at 15:29 ]
赞一下 回复此楼
5楼2010-03-10 15:24:40
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 9 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复(可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭