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sunhg1983银虫 (小有名气)
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【求助】表面与表面能的计算
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最近想研究一下晶体的表面问题,看了些资料,还是不太明白,想请教各位大侠指点一二。困惑在于收敛测试和表面能的计算。请问: 1.收敛测试有原子层数、真空层厚度以及relax层数,那么先进行哪种测试呢? 2.表面能的计算公式:E=E(slab)-nE(bulk)/2A,我师妹认为只有当上下两个面一致的时候才除以2,是这样的么?可我的晶体没法做到上下两个面一样啊,这怎么办? 3.收敛测试是对优化好的构型进行的么?例如要测试3.6.9.12等等,E(slab)是优化后的模型能量还是仅仅切出来的原始构型能量? 4.表面能的数量级是多大呢?文献上有一点几和二点几的,我算了个表面能都3到4了,是不是很大? 5.我是学化学的,看了几篇PRB关于表面的文章,很晕。能不能帮忙给篇偏化学的文献呢,多谢了。 我的分就这么多,还请大侠们不吝赐教。 [ Last edited by aylayl08 on 2010-1-27 at 19:27 ] |
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第一性原理和电化学 | 表面切割、计算 |
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10楼2010-01-29 21:11:58

2楼2010-01-27 18:10:13
hgye
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7楼2010-01-29 13:54:52
liumiao05
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aylayl08(金币+6):谢谢详细指点 2010-01-29 21:06
sunhg1983(金币+3):谢谢啦 2010-01-30 13:57
aylayl08(金币+6):谢谢详细指点 2010-01-29 21:06
sunhg1983(金币+3):谢谢啦 2010-01-30 13:57
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1.先真空层吧,这个比较简单,一般来说大于10A应该够了,slab稍微大点看看真空到多少精度足够,还可以检查真空层中间是不是没有电荷分布了。另外两个比较麻烦,因为计算量要大些。 2.的确有这种情况。那个公式对单质成立,对化合物的话不是每种表面都可以,因为选slab的时候不能同时兼顾原子比例和表面组成(就是说两个上下两个面都是你计算的表面) 举个例子来说,对于CsCl结构的B2晶体来说,如果你计算(100)面的表面能的话,你选的slab就不可能保证原子比1:1,外层原子肯定要多 所以需要计算化学势,具体的话你可以看看关于point defect(点缺陷)的文献 比如这篇 Concentrations of Atomic Defects in B2FexAl1-x. An Ab-Initio Study J. MAYER, ELSASSER, M. FAHNLE phys. stat. sol. (b) 191, 283 (1995) 3.用原始的就可以了,比如晶格常数,结构什么的可以用实验值,精度够了才谈的上优化,当然你的初始结构不能太不靠谱了。 4.这个看你的体系了吧,数量级肯定没问题,不同的体系,计算方法和软件肯定会有差别。当然如果你是纯粹重复别人的工作作为检验,那差别是有点大。 5.上面给了篇,你可以查查参考文献和引用文献 [ Last edited by liumiao05 on 2010-1-29 at 21:05 ] |

8楼2010-01-29 21:03:16
aylayl08
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9楼2010-01-29 21:10:14







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