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ganguihua1983金虫 (正式写手)
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化工 翻译
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| Compared with VO2 oxidation , V2O5 reduction by CO occurred at somewhat higher temperature .Nonstoichiometric V2O5 is an n-type semiconductor : vanadium ions in o.s.＜5 compensate the oxygen vacancies formed in the reduction process .Assuming that at least in the first reduction step the main process is V5+→V4+ , the semiconducting properties arise from a hopping process between V4+ and V5+ ions [27] . The above-mentioned problems in EPR recording ( phase inversion , difficulty of tuning and effect of oxygen ) , the small values of [V4+]EPR/e and its strong decrease with reduction time (Fig.6) , are consistent with the suggestion that most of the electrons acquired in the reduction process were delocalized in the conduction band. A similar discrepancy between EPR and analytical data was found by others in non-stoichiometric V2O5-δ ( d = 0.07 ) prepared by vacuum decomposition of AMV and explained with two consecutive reduction processes ( V5+→V4+→V3+ ) having two rate constants [9] .（Moreover , they found that non-stoichiometric and stoichiometric V2O5 ( obtained by heating V2O5-δ in oxygen at 573K ) , submitted to reduction treatments with propylene , had the same dependence of the V4+ concentration detected by EPR vs. reductiontime . In the run at the highest temperature ( 573K ) the V4+ detected by EPR had time dependence similar to that we found at 773K . Our results suggest that the two rate constants originate from the different formation rate of V4+ ions and of electrons delocalized in the conduction band . |
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shirongjiu
金虫 (正式写手)
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翻译几句，专业不熟悉，有难度啊！
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ganguihua1983(金币+10,VIP+0):很是感谢! 1-16 11:40
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与二氧化钒(VO2)的氧化反应相比, 一氧化碳还原五氧化二钒(V2O5)的反应需要在一定的高温条件. 非化学计量化合物V2O5是一种n型半导体:在还原反应过程中，钒离子(o.s.<5)补偿氧的空缺。假定至少在第一步还原反应中发生的主反应是V5+还原成V4+，半导体性质源自V5+和V4+间的跳动过程【27】。 强烈建议楼主将英文中的缩写词义给予解释，否则让人理解起来很困难，如o.s., EPR。这些缩写词对于我们外专业的人士理解起来简直费劲死了！！！！ |
2楼2010-01-16 09:43:44
ganguihua1983
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3楼2010-01-16 11:51:30
kingoddess
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非专业，也不太懂，希望对你有帮助
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ganguihua1983(金币+10,VIP+0): 1-16 12:53
ganguihua1983(金币+10,VIP+0): 1-16 12:53
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半导体性质源于V4+ 和 V5+ 离子间的转换。上面提到的EPR记录中的问题（相转化、转变的难度、氧的作用）V4+]EPR/e 值很小、还原时间的大幅减少，都与还原过程中获得的大量电子在传导带转移有关。对于来自AMV真空分解的非计量的V2O5-δ ( d = 0.07 )，以及用有两个速率常数的两个连续的还原过程( V5+→V4+→V3+ ) 解释的， EPR 与其他人分析结果也存在类似的区别。 . [ Last edited by kingoddess on 2010-1-16 at 12:26 ] |
4楼2010-01-16 12:15:08
kingoddess
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ganguihua1983(金币+20,VIP+0):已经很好了，真的很感谢！ 1-16 12:53
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另外，他们发现非计量和化学计量V2O5（通过在氧气中573K加热V2O5-δ获得）用丙烯还原，同样依赖于EPR vs检测的V4+浓度。在最高温573K时，EPR检测的V4+的时间依赖性与我们在773k时发现的类似。我们的结果说明两个速率常数来源于不同V4+形成速率以及传导带电子转移的形成速率。 [ Last edited by kingoddess on 2010-1-16 at 12:26 ] |
5楼2010-01-16 12:24:03
