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marklau

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请问掺杂如何写POSCAR

例如:TiC 掺杂 Mo  形成Ti(x)Mo(1-x)C,希望有虫子能给个详细的解释,谢谢。
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wangyujia

木虫 (正式写手)

★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 1-17 18:04
引用回帖:
Originally posted by calos818 at 2010-1-16 11:45:


你好,我初学计算,请问你说的是不是建个超胞,怎样才能判断和相邻缺陷不发生作用,谢谢你

呵呵!我胡乱说啊!
是超胞。
我觉得你可以先算一个没有缺陷的模型,再算有缺陷的超胞模型,把相邻缺陷连线中点上的那个原子的一些信息(比如说电荷密度差等等)和没有缺陷模型中的原子的信息相比较,等你觉得差不多了,那么你的模型的大小应该就合适了。
再说一句,我没算过,意见仅供参考。
8楼2010-01-16 16:58:52
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wangyujia

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★
marklau(金币+2,VIP+0):谢谢 1-15 15:45
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 1-17 18:03
vasp建模基本上都是用MS建的,然后再转换为POSCAR的格式,怎么转换你可以在论坛里搜一下,有很多人总结了很多方法。
你要建缺陷的模型,就要把单胞扩大很多倍,然后把其中的一个Ti换为Mo,这是最经济的最小的模型。
至于扩大多少倍,则要看你的x是多少了。
2楼2010-01-15 15:41:17
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marklau

银虫 (小有名气)


fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 1-17 18:03
引用回帖:
Originally posted by wangyujia at 2010-1-15 15:41:
vasp建模基本上都是用MS建的,然后再转换为POSCAR的格式,怎么转换你可以在论坛里搜一下,有很多人总结了很多方法。
你要建缺陷的模型,就要把单胞扩大很多倍,然后把其中的一个Ti换为Mo,这是最经济的最小的模型 ...

MS 里面有个设置方法:是在某个格点上设置不同原子按百分比占据,这种建模方式不能用于VASP吧?如果可以这样建的模型不就小多了么。
3楼2010-01-15 15:48:03
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wangyujia

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
marklau(金币+5,VIP+0):呵呵 1-15 18:43
fegg7502(金币+3,VIP+0):thank you very much! 1-17 18:03
引用回帖:
Originally posted by marklau at 2010-1-15 15:48:

MS 里面有个设置方法:是在某个格点上设置不同原子按百分比占据,这种建模方式不能用于VASP吧?如果可以这样建的模型不就小多了么。

MS我不太熟,但我猜设置了occupancy之后是把电子数和离子势都乘以了这个数。如果是这样的话,那么我也不敢这样算。
如果缺陷是空位,那还好,我可以把一个原子的occupancy设置为99%等等,这相当于用一种平均场的方法把缺陷给抹均匀了。这和实际情况还是不一样的,因为你如果想看看缺陷周围的畸变的话,这样做就不行了。
如果你是掺杂,那我觉得问题会更大。我在MS里试了,你不能在一个位置上放一个占有率低的杂质原子,然后又在同一位置放一个占有率高的基体原子。所以你这样建出来的模型应该会有非常高密度的空位(把杂质原子忽略掉的话,再加上周期性边界条件)。
总之,我不敢这样算。

个人想法,不知道对不对。
4楼2010-01-15 16:44:00
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