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mlcen

银虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】半导体掺杂，我的理解对吗？

本征半导体硅在低温下，空的导带上应该没有热激发电子，如果不掺杂，价带为满带不导电表明价电子局域在格点，如果掺入3价的元素替代一部分硅原子，将在价带上留下空穴，对掺杂后价带上的电子系统，我的理解有两种：

一、掺空穴后，相当于掺入了量子涨落，价带上的剩余价电子退局域化，变成自由电子，所以能导电。
二、掺空穴后，价带上的剩余价电子仍然局域在格点，只是在共价键上留下空位，空位移动因此导电。

请问哪一种理解正确？

[ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ]

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1楼2010-01-15 10:11:40

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mlcen

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引用回帖:

Originally posted by bdtlyh at 2010-1-18 17:46:
我觉得对楼主的问题可以结束讨论了，最后希望楼主系统地学习一下能带模型、局域电子模型和巡游电子模型。前面我说过了各个理论有其局限性，你讨论硅半导体材料，现在又非要拉来莫特绝缘体，不知道你想讨论什么 ...

我不是想抬杠，只是想把问题问深一些，你果然是高手，谢谢你的指点和建议，此帖到此结束，5个金币全给你（见上一楼），谢谢啦。

[ Last edited by mlcen on 2010-1-18 at 18:20 ]