| 查看: 1911 | 回复: 33 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】半导体掺杂，我的理解对吗？
|
|||
|
本征半导体硅在低温下，空的导带上应该没有热激发电子，如果不掺杂，价带为满带不导电表明价电子局域在格点，如果掺入3价的元素替代一部分硅原子，将在价带上留下空穴，对掺杂后价带上的电子系统，我的理解有两种： 一、掺空穴后，相当于掺入了量子涨落，价带上的剩余价电子退局域化，变成自由电子，所以能导电。 二、掺空穴后，价带上的剩余价电子仍然局域在格点，只是在共价键上留下空位，空位移动因此导电。 请问哪一种理解正确？ [ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
299求调剂
已经有8人回复
-
一志愿北京理工大学本科211材料工程294求调剂
已经有6人回复
-
300求调剂，材料科学英一数二
已经有8人回复
-
招收生物学/细胞生物学调剂
已经有5人回复
-
070305高分子化学与物理 304分求调剂
已经有7人回复
-
289求调剂
已经有13人回复
-
一志愿哈尔滨工业大学材料与化工方向336分
已经有9人回复
-
081200-11408-276学硕求调剂
已经有6人回复
-
调剂求院校招收
已经有5人回复
-
调剂310
已经有8人回复
2楼2010-01-15 10:32:45
supconsimit
木虫 (正式写手)
- 应助: 13 (小学生)
- 金币: 2236
- 散金: 707
- 红花: 7
- 帖子: 654
- 在线: 634.7小时
- 虫号: 879837
- 注册: 2009-10-21
- 专业: 无机非金属类高温超导与磁
3楼2010-01-15 10:55:04
4楼2010-01-15 11:00:35
★ ★ ★ ★ ★
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:46
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:46
|
本帖内容被屏蔽 |
5楼2010-01-15 11:17:47
★ ★ ★
dawnlight(金币+3,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:46
dawnlight(金币+3,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:46
|
本帖内容被屏蔽 |
6楼2010-01-15 11:19:39
7楼2010-01-15 11:30:05
supconsimit
木虫 (正式写手)
- 应助: 13 (小学生)
- 金币: 2236
- 散金: 707
- 红花: 7
- 帖子: 654
- 在线: 634.7小时
- 虫号: 879837
- 注册: 2009-10-21
- 专业: 无机非金属类高温超导与磁
8楼2010-01-15 12:20:43
9楼2010-01-15 12:34:49
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫:)(金币+2,VIP+0):3q 1-16 14:10
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:48
小木虫:)(金币+2,VIP+0):3q 1-16 14:10
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 1-16 22:48
|
我谈谈我的看法，首先我觉得楼主对能带导电机理理解不是太透彻，以电子为例，满带不导电不是因为电子局域在格点上，而是因为电子分布满带，那么从K空间来看，K和-K方向分布是满对称的，两个空间电子运动速度相同而方向相反，所以电流为零。从电子量子态来说，就是电子各态分布几率相同。对于部分占据能带也一样，电子也是对称占据分布，所以总电流为零，但是加电场以后，K和-K分布不对称，总的运动速度不为零，所以出现电流。 而对于掺杂手段，就是为了获得更多的导电载流子，以楼主所说的3价杂质的掺入，当达到一定浓度以后，导电载流子主要就是杂质贡献的了，而3价杂质是受主杂质，杂质能级在禁带靠近价带位置，那么满带价带的电子就因为量子涨落或者热激发等过程，使满带中的电子激发的杂质能级，在价带形成多个空穴，这些空穴看做带正电的电子后，其K空间分布和导电原理就和前面说的电子导电一样了。不过要说明的是，杂质浓度以及杂质引起的晶格弛豫、电子局域以及重掺杂引起的杂质能级导电等因素如果考虑的话，就更复杂一些了。所以结论是楼主说的第二点基本正确，价带满带上的电子激发到能级稍高的杂质能级，杂质浓度不高的情况下，基本可以看做局域的，而激发后价带中的空穴起到导电载流子的作用，由于电场的原因，空穴K空间分布不对称，引起了电流。 以上解释请各位指正。 |
10楼2010-01-15 17:28:00
