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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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mlcen

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】半导体掺杂,我的理解对吗?

本征半导体硅在低温下,空的导带上应该没有热激发电子,如果不掺杂,价带为满带不导电表明价电子局域在格点,如果掺入3价的元素替代一部分硅原子,将在价带上留下空穴,对掺杂后价带上的电子系统,我的理解有两种:

    一、掺空穴后,相当于掺入了量子涨落,价带上的剩余价电子退局域化,变成自由电子,所以能导电。
    二、掺空穴后,价带上的剩余价电子仍然局域在格点,只是在共价键上留下空位,空位移动因此导电。
   
     请问哪一种理解正确?

[ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ]
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bdtlyh

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by mlcen at 2010-1-18 17:30:
我觉得能带理论不一定是万能的理论,比如对莫特绝缘体,能带理论算出是半满,但却是绝缘体,而且电子确实局域于格点,并没有动态平衡。

我觉得对楼主的问题可以结束讨论了,最后希望楼主系统地学习一下能带模型、局域电子模型和巡游电子模型。前面我说过了各个理论有其局限性,你讨论硅半导体材料,现在又非要拉来莫特绝缘体,不知道你想讨论什么问题了,不过可以说,如果你想研究硅掺杂,那么关于莫特绝缘体理论你绝对用不到,咱不抬杠了。
26楼2010-01-18 17:46:53
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mlcen

银虫 (正式写手)

请学半导体的虫友发表高见。
2楼2010-01-15 10:32:45
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supconsimit

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~,欢迎常来 1-16 22:45
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点
3楼2010-01-15 10:55:04
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mlcen

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by supconsimit at 2010-1-15 10:55:
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点

谢谢,空位移动其实是电子在移动,如果电子局域在格点,又怎么移动呢?
4楼2010-01-15 11:00:35
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