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mlcen

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】半导体掺杂,我的理解对吗?

本征半导体硅在低温下,空的导带上应该没有热激发电子,如果不掺杂,价带为满带不导电表明价电子局域在格点,如果掺入3价的元素替代一部分硅原子,将在价带上留下空穴,对掺杂后价带上的电子系统,我的理解有两种:

    一、掺空穴后,相当于掺入了量子涨落,价带上的剩余价电子退局域化,变成自由电子,所以能导电。
    二、掺空穴后,价带上的剩余价电子仍然局域在格点,只是在共价键上留下空位,空位移动因此导电。
   
     请问哪一种理解正确?

[ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ]
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mlcen

银虫 (正式写手)


小木虫:)(金币+1,VIP+0):3q 1-18 00:14
引用回帖:
Originally posted by haode22 at 2010-1-17 13:55:
很抱歉,我也只是根据你的问题用我学过的简单固体物理的知识解答,至于电子状态与成键的变化,我无法解释。

我也等待高人做更好的解释。

有没有这种可能,半导体中每个硅位的4个共价键上的8个价电子本来可以巡游的,由于阻塞,没法巡游,掺入空穴后,有了空位,就真的巡游起来,开始导电了,由于价电子太多空位太少,这些价电子的集体巡游情况刚好等效于带正电的空穴子(干脆叫它正电子)的流动。
17楼2010-01-17 18:13:02
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mlcen

银虫 (正式写手)

请学半导体的虫友发表高见。
2楼2010-01-15 10:32:45
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supconsimit

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~,欢迎常来 1-16 22:45
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点
3楼2010-01-15 10:55:04
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mlcen

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by supconsimit at 2010-1-15 10:55:
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点

谢谢,空位移动其实是电子在移动,如果电子局域在格点,又怎么移动呢?
4楼2010-01-15 11:00:35
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