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mlcen

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】半导体掺杂,我的理解对吗?

本征半导体硅在低温下,空的导带上应该没有热激发电子,如果不掺杂,价带为满带不导电表明价电子局域在格点,如果掺入3价的元素替代一部分硅原子,将在价带上留下空穴,对掺杂后价带上的电子系统,我的理解有两种:

    一、掺空穴后,相当于掺入了量子涨落,价带上的剩余价电子退局域化,变成自由电子,所以能导电。
    二、掺空穴后,价带上的剩余价电子仍然局域在格点,只是在共价键上留下空位,空位移动因此导电。
   
     请问哪一种理解正确?

[ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ]
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mlcen

银虫 (正式写手)

★ ★
ppjason(金币+2,VIP+0):3x 1-19 21:07
当参杂原子B(硼)进入Si内,此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键,即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子) ,使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键,故每加入1个B原子将在其他硅位产生一个空穴,其他硅位的4个共价键中将有1个共价键电子失配,那么这个失配的电子会离域吗?
15楼2010-01-17 06:11:02
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mlcen

银虫 (正式写手)

请学半导体的虫友发表高见。
2楼2010-01-15 10:32:45
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supconsimit

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~,欢迎常来 1-16 22:45
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点
3楼2010-01-15 10:55:04
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mlcen

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by supconsimit at 2010-1-15 10:55:
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点

谢谢,空位移动其实是电子在移动,如果电子局域在格点,又怎么移动呢?
4楼2010-01-15 11:00:35
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