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mlcen

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】半导体掺杂,我的理解对吗?

本征半导体硅在低温下,空的导带上应该没有热激发电子,如果不掺杂,价带为满带不导电表明价电子局域在格点,如果掺入3价的元素替代一部分硅原子,将在价带上留下空穴,对掺杂后价带上的电子系统,我的理解有两种:

    一、掺空穴后,相当于掺入了量子涨落,价带上的剩余价电子退局域化,变成自由电子,所以能导电。
    二、掺空穴后,价带上的剩余价电子仍然局域在格点,只是在共价键上留下空位,空位移动因此导电。
   
     请问哪一种理解正确?

[ Last edited by mlcen on 2010-1-15 at 10:45 ]
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mlcen

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by bdtlyh at 2010-1-15 17:28:
我谈谈我的看法,首先我觉得楼主对能带导电机理理解不是太透彻,以电子为例,满带不导电不是因为电子局域在格点上,而是因为电子分布满带,那么从K空间来看,K和-K方向分布是满对称的,两个空间电子运动速 ...

谢谢指正,我对半导体不熟悉。我关心的不是空穴而是电子,因为空穴是等效后的概念,在半导体中真正输运的是电子,是不是空穴掺到一定程度,价带上的电子将会离域化?

[ Last edited by mlcen on 2010-1-16 at 09:48 ]
11楼2010-01-16 09:47:24
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mlcen

银虫 (正式写手)

请学半导体的虫友发表高见。
2楼2010-01-15 10:32:45
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supconsimit

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
dawnlight(金币+5,VIP+0):3x,感谢分享~,欢迎常来 1-16 22:45
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点
3楼2010-01-15 10:55:04
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mlcen

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by supconsimit at 2010-1-15 10:55:
以我之前学的固体物理的理解来说,我比较认同第二点

谢谢,空位移动其实是电子在移动,如果电子局域在格点,又怎么移动呢?
4楼2010-01-15 11:00:35
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