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| 研究了PZT（锆钛酸铅）薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术，对比了SF6/Ar2、CF4/Ar2和CHF3/Ar2三种工艺气氛条件下刻蚀PZT的效果，最终获得了优化的工艺条件。实验结果表明，三种工艺气氛下，PZT薄膜的刻蚀速率都随功率的增加而增加；相同功率下，SF6/Ar2的刻蚀速率最高；而CHF3/Ar2刻蚀PZT的图形形貌最好，对光刻胶的选择比也最好。 |
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chunjiayou(金币+1,VIP+0):谢谢你对论坛的支持，请等待楼主的回复 12-30 18:02
Abby127(金币+8,VIP+0):谢谢 12-30 19:58
zap65535(金币+7,VIP+0):补发 12-30 23:16
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Abby127(金币+8,VIP+0):谢谢 12-30 19:58
zap65535(金币+7,VIP+0):补发 12-30 23:16
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研究了PZT（锆钛酸铅）薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术，对比了SF6/Ar2、CF4/Ar2和CHF3/Ar2三种工艺气氛条件下刻蚀PZT的效果，最终获得了优化的工艺条件。 The DRIE technique of PZT thin film was investigated. The effects of the SF6/Ar2、CF4/Ar2 and CHF3/Ar2 techniques under atmosphere on etching the PZT were compared and therefore the optimized technique was obtained. 实验结果表明，三种工艺气氛下，PZT薄膜的刻蚀速率都随功率的增加而增加；相同功率下，SF6/Ar2的刻蚀速率最高；而CHF3/Ar2刻蚀PZT的图形形貌最好，对光刻胶的选择比也最好。 The experimental results indicate that the PZT-etching speed using the three techniques under atmosphere increases with a rise in power. At the same power, SF6/Ar2 technique has the highest etching speed while the CHF3/Ar2 technique provides the best morphology and has the best selective ratio of photoresist. |
2楼2009-12-30 16:53:48
