| 查看: 173 | 回复: 1 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
求助翻译一段话（汉译英）
|
|||
| 研究了PZT（锆钛酸铅）薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术，对比了SF6/Ar2、CF4/Ar2和CHF3/Ar2三种工艺气氛条件下刻蚀PZT的效果，最终获得了优化的工艺条件。实验结果表明，三种工艺气氛下，PZT薄膜的刻蚀速率都随功率的增加而增加；相同功率下，SF6/Ar2的刻蚀速率最高；而CHF3/Ar2刻蚀PZT的图形形貌最好，对光刻胶的选择比也最好。 |
回复此楼» 猜你喜欢
参与限项
已经有3人回复
-
假如你的研究生提出不合理要求
已经有7人回复
-
实验室接单子
已经有4人回复
-
全日制（定向）博士
已经有4人回复
-
对氯苯硼酸纯化
已经有3人回复
-
求助:我三月中下旬出站，青基依托单位怎么办？
已经有12人回复
-
不自信的我
已经有12人回复
-
所感
已经有4人回复
-
要不要辞职读博？
已经有7人回复
-
北核录用
已经有3人回复
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
chunjiayou(金币+1,VIP+0):谢谢你对论坛的支持，请等待楼主的回复 12-30 18:02
Abby127(金币+8,VIP+0):谢谢 12-30 19:58
zap65535(金币+7,VIP+0):补发 12-30 23:16
chunjiayou(金币+1,VIP+0):谢谢你对论坛的支持，请等待楼主的回复 12-30 18:02
Abby127(金币+8,VIP+0):谢谢 12-30 19:58
zap65535(金币+7,VIP+0):补发 12-30 23:16
|
研究了PZT（锆钛酸铅）薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术，对比了SF6/Ar2、CF4/Ar2和CHF3/Ar2三种工艺气氛条件下刻蚀PZT的效果，最终获得了优化的工艺条件。 The DRIE technique of PZT thin film was investigated. The effects of the SF6/Ar2、CF4/Ar2 and CHF3/Ar2 techniques under atmosphere on etching the PZT were compared and therefore the optimized technique was obtained. 实验结果表明，三种工艺气氛下，PZT薄膜的刻蚀速率都随功率的增加而增加；相同功率下，SF6/Ar2的刻蚀速率最高；而CHF3/Ar2刻蚀PZT的图形形貌最好，对光刻胶的选择比也最好。 The experimental results indicate that the PZT-etching speed using the three techniques under atmosphere increases with a rise in power. At the same power, SF6/Ar2 technique has the highest etching speed while the CHF3/Ar2 technique provides the best morphology and has the best selective ratio of photoresist. |
2楼2009-12-30 16:53:48