| 查看: 584 | 回复: 2 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【请教】lpcvd多晶硅国内能达到3微米的厚度吗？ 已有1人参与
|
|||
| 国外大概十年前就有文章报到这种应用了，国内的加工是因为没有动力去做呢，还是因为技术上有什么地方有困难？ |
回复此楼
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
  |
3楼2010-09-20 09:51:16
damuchongzi
铁杆木虫 (小有名气)
- 应助: 9 (幼儿园)
- 金币: 14075.7
- 帖子: 81
- 在线: 97.9小时
- 虫号: 254358
- 注册: 2006-05-27
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
骑着蜗牛追火箭(金币+2,VIP+0):谢谢 12-18 19:47
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
骑着蜗牛追火箭(金币+2,VIP+0):谢谢 12-18 19:47
| 一家之言仅作参考：从加工能力上来说，大概国内任何一家有LPCVD设备的单位都能做到。但首先这涉及到一个成本的问题，3um的polySi大概需要6、7个小时的淀积时间，而象这样的厚度淀积几次之后，石英管就得卸下清洗一次（几次清洗之后就得更换），还需要重新校正设备温区，如果没有量产产品的支持，那就太让加工商郁闷了。另外，做这么厚估计是想用在MEMS上，polySi的surface MEMS技术和IC的集成(主要是CMOS）不管是pre-MEMS 还是intermediate-MEMS都是很繁琐复杂的工艺，而不是简单的在原有cmos工艺上稍作修改就能行的通的事情。而相对而言体硅工艺则体现出极大的灵活性和适用性（当然在大规模阵列集成方面行不通，DMD，IRUFPA等等），在惯性，rf,光，bio上都有作为。而且随着基于TSV的3D-IC 集成技术的日益成熟，体硅MEMS和ic的集成也会变得很容易。 |
2楼2009-12-18 18:52:11
10