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【请教】lpcvd多晶硅国内能达到3微米的厚度吗？ 已有1人参与
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| 国外大概十年前就有文章报到这种应用了，国内的加工是因为没有动力去做呢，还是因为技术上有什么地方有困难？ |
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damuchongzi
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| 一家之言仅作参考：从加工能力上来说，大概国内任何一家有LPCVD设备的单位都能做到。但首先这涉及到一个成本的问题，3um的polySi大概需要6、7个小时的淀积时间，而象这样的厚度淀积几次之后，石英管就得卸下清洗一次（几次清洗之后就得更换），还需要重新校正设备温区，如果没有量产产品的支持，那就太让加工商郁闷了。另外，做这么厚估计是想用在MEMS上，polySi的surface MEMS技术和IC的集成(主要是CMOS）不管是pre-MEMS 还是intermediate-MEMS都是很繁琐复杂的工艺，而不是简单的在原有cmos工艺上稍作修改就能行的通的事情。而相对而言体硅工艺则体现出极大的灵活性和适用性（当然在大规模阵列集成方面行不通，DMD，IRUFPA等等），在惯性，rf,光，bio上都有作为。而且随着基于TSV的3D-IC 集成技术的日益成熟，体硅MEMS和ic的集成也会变得很容易。 |
2楼2009-12-18 18:52:11
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3楼2010-09-20 09:51:16
