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【讨论】关于纳米半导体光催化的疑惑
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量子尺寸效应会使禁带变宽，半导体的载流子被限制在一个小尺寸的势阱中，从而导致导带和价带能级由连续变为分离。导带能级向负移，价带能级向正移，从而使导带电位更负，价带电位更正，使能隙增大,能带蓝移.，禁带变宽使得电子或孔穴具有更强的氧化还原电位，有可能使半导体的光催化效率增加. 我是刚接触光催化这个方向的，很多都不懂。这是我看到一个解释。我很疑惑的是禁带变宽不是不利于激发吗？怎么还会提高催化效率啊?请教高手帮忙能解释下！ |
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