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【讨论】关于纳米半导体光催化的疑惑
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量子尺寸效应会使禁带变宽,半导体的载流子被限制在一个小尺寸的势阱中,从而导致导带和价带能级由连续变为分离。导带能级向负移,价带能级向正移,从而使导带电位更负,价带电位更正,使能隙增大,能带蓝移.,禁带变宽使得电子或孔穴具有更强的氧化还原电位,有可能使半导体的光催化效率增加. 我是刚接触光催化这个方向的,很多都不懂。这是我看到一个解释。我很疑惑的是禁带变宽不是不利于激发吗?怎么还会提高催化效率啊?请教高手帮忙能解释下! |
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