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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【请教】可以用氢氧化钠腐蚀硅片上的二氧化硅层吗
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jiangweijw

铜虫 (小有名气)

[交流] 【请教】可以用氢氧化钠腐蚀硅片上的二氧化硅层吗

除了用HF腐蚀SiO2外,可以用NaOh腐蚀SiO2吗?
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1楼2009-12-10 09:33:30
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venturehit

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
你这个腐蚀完了还会继续生成二氧化硅
通常半导体行业都是用氢氟酸来去除氧化层的
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4楼2009-12-10 23:46:40
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drintor

木虫 (著名写手)

木虫游民
★ ★ ★ ★
jiangweijw(金币+3,VIP+0):非常感谢 12-10 16:27
mhwu514(金币+1,VIP+0):谢谢讨论。 12-10 17:56
一般常用的方法是用丙酮、酒精、以及氢氟酸来清洗硅片，以达到除掉硅片上的油脂以及其他的有机化合物，当然用氢氟酸的目的就是除掉硅基片表面被氧化后生成的二氧化硅，所有做实验的人都是这么处理的，不知道楼主为什么会想到用氢氧化钠呢？
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http://www.sciencenet.cn/blog/drintor.htm
2楼2009-12-10 14:59:33
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wangyang7887

至尊木虫 (知名作家)

孤独的牧羊人
氢氧化钠不可以腐蚀二氧化硅
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菩提本无树，明镜亦非台。本来无一物，何处惹尘埃？世曰：一花一世界；佛曰：一叶一菩提。
3楼2009-12-10 15:01:27
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
根据你的题目，回答如下：NaOH溶液腐蚀SiO2的速率较慢（和SiO2的生长方法以及溶液浓度、温度有关），但它是一种有效各向异性的Si腐蚀液。看你的专业方向是半导体器件，难道不知道Na K 离子的沾污对器件及其它工艺的影响么？一般只有在少数器件加工中用到KOH溶液,如VDMOS，但现在多采用TMAH来腐蚀Si（考虑对工艺的污染）. SiO2的湿法腐蚀一般采用BOE(HF酸的一种缓冲液，可有效控制腐蚀速度减小undercut）。另外捎带对3楼的说法提出一些改动：硅片清洗的常用方法（如CMOS)是采用Piranha溶液或RCA溶液去除有机和金属沾污。随便找几本工艺资料，这些都会有解释。
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5楼2009-12-12 06:44:14
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