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[交流] 分子内存技术(ZettaCore Molecular Technology)

无意在网上发现一篇报告:ZettaCore Molecular Technology,是关于ZettaCore的分子内存技术的,感觉挺有趣的。有兴趣的人可以下来看看啊。


ZettaCore Molecular Technology

Stanford Computer Systems Colloquium, April 20, 2005

Dr. Ritu Shrivastava
Vice President, Process and Manufacturing Technology ZettaCore, Inc.

Outline

• Nanotechnology
• Silicon Scaling
• ZettaCore Markets
• DRAM Approaches and Issues
• ZettaCore Technology Overview
• Testchip Results
• Process Integration Path
• Conclusion


另外,为了便于理解,我在网上找了篇中文报道,如下:

ZettaCore的分子内存技术即将进入商业化阶段

发展以分子内存技术取代现有DRAM技术的新兴内存公司ZettaCore,该公司的CEO Randolph Levine博士表示,已完成第一笔商业化应用合约的签定,目前正进入设计与验证的阶段。但是究竟是应用在生产DRAM芯片或是嵌入式内存,以及合作厂家是谁,Levine并不愿意透露。

ZettaCore成立于1999年,主要是由加州河滨大学(University of California Riverside)以及北卡罗莱纳州立大学(North Carolina State University)的科学家所组成,这两所大学从7年前起就开始了这项技术的研究。ZettaCore成立以来,已分别在2001年和2003年完成两轮的创投资金募集,共募得了2300万美金的资本。

ZettaCore的分子内存技术可以用来制造DRAM芯片,也可以作为取代嵌入式SRAM的内存IP,整合在系统单芯片上。该公司宣称,此分子内存技术与现有的CMOS制程完全兼容,只是增加了一些步骤而已。

Levine解释说,ZettaCore的技术与现有的内存技术相同,都是利用储存电荷的原理来运作。不过,ZettaCore是将电荷储存在有机分子上,而这些分子可以自我组装在硅晶基板上。这些分子看起来像棒棒糖,是由称为Porphyrin的分子结构和棒状的Linker所组成,每个宽度只有1nm。透过化学作用力,Linker会附着在基板上,藉由施加电压,可以将电荷储存在分子中或是释放掉。

Levine指出,“其实这些分子的作用就好像是电容一样,用来储存和释放电荷。在制造时,可以利用旋转涂布(Spin-coat)的方式将这些分子覆盖在基板上。原有的DRAM cell设计仍维持一样,以达到one bit per cell的储存密度。”

“透过这样的机制,未来我们可以利用不同的电压,让分子储存不同的电荷数,以达到Multiple bits per Cell的目标。这对DRAM内存来说,将会是一大突破。此外,虽然我们的技术目前仍是应用在挥发性内存上,但由于刷新周期可以长达数秒甚至1分钟,与现有的DRAM和SRAM相比,待机功耗便可以大幅下降。”

随着制程的持续微缩,传统的内存技术与材料已面临很大的发展极限。因此,近年来有许多新兴内存技术的兴起,包括奈米管内存、磁阻内存(MRAM),以及ZettaCore的分子内存技术。

虽然近来IBM、Infineon、Motorola等大厂都投入MRAM的研发,并获得一些进展,但是Levine认为,MRAM不能与现有的CMOS制程技术兼容,而且它的未来微缩性以及高容量内存的量产性等议题,都还尚未解决。

他强调,利用分子内存技术,现有不管是用堆栈(Stack)或沟槽(Trench)技术的DRAM业者,都可以免除产生Stack和Trench的制程。此外,其晶粒大小可以缩小5至10倍,又可以用原有的CMOS制程与设备,这对业者来说是很具有吸引力的。

[ Last edited by 幻影无痕 on 2006-11-17 at 08:14 ]
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还好,传上来了。
3楼2006-01-09 11:09:05
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怎么发不了附件?
2楼2006-01-09 11:02:11
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