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分子内存技术（ZettaCore Molecular Technology）
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无意在网上发现一篇报告：ZettaCore Molecular Technology，是关于ZettaCore的分子内存技术的，感觉挺有趣的。有兴趣的人可以下来看看啊。 ZettaCore Molecular Technology Stanford Computer Systems Colloquium, April 20, 2005 Dr. Ritu Shrivastava Vice President, Process and Manufacturing Technology ZettaCore, Inc. Outline • Nanotechnology • Silicon Scaling • ZettaCore Markets • DRAM Approaches and Issues • ZettaCore Technology Overview • Testchip Results • Process Integration Path • Conclusion 另外，为了便于理解，我在网上找了篇中文报道，如下： ZettaCore的分子内存技术即将进入商业化阶段 发展以分子内存技术取代现有DRAM技术的新兴内存公司ZettaCore，该公司的CEO Randolph Levine博士表示，已完成第一笔商业化应用合约的签定，目前正进入设计与验证的阶段。但是究竟是应用在生产DRAM芯片或是嵌入式内存，以及合作厂家是谁，Levine并不愿意透露。 ZettaCore成立于1999年，主要是由加州河滨大学(University of California Riverside)以及北卡罗莱纳州立大学(North Carolina State University)的科学家所组成，这两所大学从7年前起就开始了这项技术的研究。ZettaCore成立以来，已分别在2001年和2003年完成两轮的创投资金募集，共募得了2300万美金的资本。 ZettaCore的分子内存技术可以用来制造DRAM芯片，也可以作为取代嵌入式SRAM的内存IP，整合在系统单芯片上。该公司宣称，此分子内存技术与现有的CMOS制程完全兼容，只是增加了一些步骤而已。 Levine解释说，ZettaCore的技术与现有的内存技术相同，都是利用储存电荷的原理来运作。不过，ZettaCore是将电荷储存在有机分子上，而这些分子可以自我组装在硅晶基板上。这些分子看起来像棒棒糖，是由称为Porphyrin的分子结构和棒状的Linker所组成，每个宽度只有1nm。透过化学作用力，Linker会附着在基板上，藉由施加电压，可以将电荷储存在分子中或是释放掉。 Levine指出，“其实这些分子的作用就好像是电容一样，用来储存和释放电荷。在制造时，可以利用旋转涂布(Spin-coat)的方式将这些分子覆盖在基板上。原有的DRAM cell设计仍维持一样，以达到one bit per cell的储存密度。” “透过这样的机制，未来我们可以利用不同的电压，让分子储存不同的电荷数，以达到Multiple bits per Cell的目标。这对DRAM内存来说，将会是一大突破。此外，虽然我们的技术目前仍是应用在挥发性内存上，但由于刷新周期可以长达数秒甚至1分钟，与现有的DRAM和SRAM相比，待机功耗便可以大幅下降。” 随着制程的持续微缩，传统的内存技术与材料已面临很大的发展极限。因此，近年来有许多新兴内存技术的兴起，包括奈米管内存、磁阻内存(MRAM)，以及ZettaCore的分子内存技术。 虽然近来IBM、Infineon、Motorola等大厂都投入MRAM的研发，并获得一些进展，但是Levine认为，MRAM不能与现有的CMOS制程技术兼容，而且它的未来微缩性以及高容量内存的量产性等议题，都还尚未解决。 他强调，利用分子内存技术，现有不管是用堆栈(Stack)或沟槽(Trench)技术的DRAM业者，都可以免除产生Stack和Trench的制程。此外，其晶粒大小可以缩小5至10倍，又可以用原有的CMOS制程与设备，这对业者来说是很具有吸引力的。 [ Last edited by 幻影无痕 on 2006-11-17 at 08:14 ] |
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