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2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议(SMEGD 2026)
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2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议(SMEGD 2026) 会议背景 在全球化背景下,半导体材料与器件物理领域的学术前沿不断拓展。本次会议将于中国济南召开,旨在搭建一个全球性的跨学科交流平台,促进学术成果与产业实践的深度融合。会议涵盖半导体材料、外延技术、器件物理及集成电路四大核心领域,致力于推动半导体领域的理论创新与技术突破。 会议目标 搭建跨学科交流平台,促进半导体材料与器件研发的深度融合;探讨硅基、化合物及宽禁带半导体材料,鼓励学者从多维度剖析材料生长规律;研究分子束外延、MOCVD等先进技术,探索材料制备与器件设计的结合路径;关注高电子迁移率晶体管、功率器件等议题,推动半导体技术的可持续发展;形成专题报告,为全球电子信息产业注入新动能。 会议基本信息 会议官网:www.confsflow.com/smegd 会议名称:2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议 会议地点:中国·济南 收录检索:提交Ei Compendex,CNKI,Google Scholar等 会议主题(包括但不限于以下主题) 半导体材料: 硅基半导体材料 化合物半导体材料 宽禁带半导体材料 氧化镓材料 二维半导体材料 异质结材料 外延技术: 分子束外延技术 金属有机化学气相沉积 原子层沉积技术 液相外延技术 外延层质量控制 缺陷控制技术 器件物理: 高电子迁移率晶体管 功率器件设计 光电器件物理 器件可靠性分析 器件模型建立 新型器件结构 参会方式 1.旁听参会:不投稿且不参与演讲及展示。 2.汇报参会:提交摘要,10-15分钟口头报告演讲。(口头汇报或海报张贴) 3.会议投稿:文章需全英文投稿,请将英文稿件(Word)发送至组邮箱smegd@sub-paper.com,邮件标题为"作者姓名+联系方式+投稿。"文章将登刊在论文集,出刊后统一提交检索。 |
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