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天莱5

[交流] 【请教】请问如何制备n-i-p三层硅纳米线已有1人参与

想做core-shell 结构的硅纳米线,内层为n, 外层为p, 请问用什么方法才能做到?

气 液 固 生长是怎么一回事?

还有背散射电子成像与二次电子成像有什么区别?分别在什么条件下用?

我是新手,请大家多多赐教。

谢谢。
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hegelle

银虫 (初入文坛)

★ ★
天莱5(金币+2,VIP+0):谢谢 11-17 13:56
你这个问题就不能展开回答了,有点偏基础
关于VLS机理,看看1964年的那篇关于晶须生长的文献,其他的就是引申开来在纳米线生长领域
三层Si结构的话,就要看看大牛lieber的nature文章了
士不可不弘毅,任重道远!
2楼2009-11-17 00:01:56
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天莱5

引用回帖:
Originally posted by hegelle at 2009-11-17 00:01:
你这个问题就不能展开回答了,有点偏基础
关于VLS机理,看看1964年的那篇关于晶须生长的文献,其他的就是引申开来在纳米线生长领域
三层Si结构的话,就要看看大牛lieber的nature文章了

谢谢你的回答,我想再问一下长出来的硅纳米线是不是一般都是p型的,有n型的吗,用什么方法?
谢谢
3楼2009-11-17 13:54:42
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hegelle

银虫 (初入文坛)

★ ★ ★
天莱5(金币+3,VIP+0):恩,谢谢 11-21 19:49
CVD法制备的话  可以控制 导电性的  硅烷 混入磷烷或者BH3 就可以制备到 你想要的 N或P型  lieber lieber ……
士不可不弘毅,任重道远!
4楼2009-11-19 05:21:06
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xymeng8610

木虫 (职业作家)

深海之城-珊瑚岛-小宇


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
大家有用CVD做出来硅纳米线的的吗?
怎么我用CVD方法没长出硅纳米线呢?
橡皮、橡皮--擦掉一切!
5楼2010-06-12 10:50:39
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