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中科院AI芯片新路径登Science！铁电材料新结构突破存储密度极限
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中科院AI芯片新路径登Science！铁电材料新结构突破存储密度极限 量子位 01-24 18:55 中科院物理所团队首次揭示了原子级“一维带电畴壁”新结构，其宽度仅为一个晶胞大小，突破了传统二维畴壁的物理极限。该结构通过氧离子“自我平衡”机制稳定存在，展现出极化-离子耦合的独特传输特性，理论存储密度高达20TB/cm²，为构建高能效类脑计算及下一代AI芯片奠定了全新物理基础。 |
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