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sunjingxue

木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以?(能带理论解释) 已有5人参与

前段时间面试了个公司,问了一道关于放光材料的题。我是学化学的,但是对这方面不是很了解,网上也没怎么查明白,谢谢赐教。
为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以?(能带理论解释)
PS:本人学过些计算,能带理论了解些。只是因为Ge的Eg比较小么? 它俩都是间接能隙的是吧,和这个有关系么,还有之前也有个问题是为什么硅不能用作发光材料。 先谢谢大家了!

[ Last edited by GrasaVampiro on 2010-7-1 at 10:34 ]
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水座

铁杆木虫 (小有名气)

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shecf(金币+1): 2011-07-06 19:02:05
引用回帖:
Originally posted by 稀土之光 at 2010-07-01 11:41:28:
禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。Si的原子序数比Ge的小,则Si的价电子束缚得较紧,所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。Ge、Si的禁带宽度在室温 ...

Ge的能隙值小,它对应的波长应该更大一些。它们都对应于不可见光范围。
5楼2011-07-06 15:58:16
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水座

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引用回帖:
Originally posted by hitzhaoyang at 2011-07-11 13:06:24:
应该是这样的。波长和禁带宽度成反比。
算出Ge、Si半导体激发发射的光波长分别为1878nm和1107nm.

[ Last edited by hitzhaoyang on 2011-7-11 at 13:13 ]

谢谢,用1240除以能隙值得到的是吧。既然都对应不可见光,那楼主的问题怎么回答呢?还有个问题不是很明白,为什么书上只考虑从价带底跃迁到导带顶,是因为这两个状态下的电子态密度大,出现的几率大的缘故吗?另外,间接能隙只考虑了离费米能级最近的一条价带和一条导带,如果第二条导带和第一条导带之间是直接能隙关系,那么激发到第二条导带的电子能否容易地跃迁到第一条导带上呢?不知我描述的是否清楚,希望继续交流
8楼2011-07-11 21:38:42
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