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fangxuan110

木虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】硅上LPCVD氮化硅200nm能不能因为应力而分裂

如题, 200nm的氮化硅是否会裂开,盼答复
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)

★ ★
fangxuan110(金币+1):谢谢参与
mhwu514(金币+1,VIP+0):谢谢讨论 11-3 13:33
不做氧化的缓冲层么?视LPCVD的氮化硅的淀积条件而定,低应力LPCVD氮化硅几个微米都没问题。
2楼2009-11-03 03:07:28
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


★ ★
fangxuan110(金币+1):谢谢参与
mhwu514(金币+1,VIP+0):谢谢讨论 11-3 13:33
不会,氮化硅是非晶态,低压制备下结构致密。
3楼2009-11-03 04:48:59
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

★ ★
fangxuan110(金币+1):谢谢参与
mhwu514(金币+1,VIP+0):谢谢讨论 11-3 13:33
应力跟生长条件有关,不能一概而论。微电子工艺中一般采用SiO2做缓冲层,以防止氮化硅膜开裂。
没有困难创造困难也要上网。
4楼2009-11-03 09:15:26
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)


fangxuan110(金币+1):谢谢参与
看作什么用  如果仍是整片  问题不大  如果再做微加工应该和尺寸有关  有以LPCVD  SiN做结构层的  具体还和工艺有关     
通常是有较大应力的   只是大小的差异
5楼2010-01-15 19:51:52
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