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paodalannn

新虫 (初入文坛)

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[交流] 光催化直接Z型半导体异质结和S型半导体异质结的区别

阅读了好多文献，感觉这两者区别不大啊。。。都是界面处内置电场作用，导致两个半导体费米能级对齐，界面处能带弯曲，较低导带的光生电子和较高价带的空穴在此处复合。。。。而较低的价带和较高的导带则发生氧化还原反应，求大佬解释区别

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1楼 2025-02-23 23:38:11

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ppchong666

银虫 (小有名气)

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引用回帖:

7楼: Originally posted by Kamiu_MK at 2025-02-28 09:32:03
我如果说Z型是臆想结构，而S型是实际结构估计会有人喷。所以还是从简单的角度理解：1.从光激发的角度，就是本来激发一次，现在需要激发两次了，但是好处是本来只能用紫外，现在可以叠加2个可见光完成；2.本来能带窄 ...

那也就是说，Z型异质结和S型异质结是一样的了？那所接触的两种半导体的费米能级位置有没有特殊要求？

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8楼2025-05-06 09:34:20

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Kamiu_MK

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我如果说Z型是臆想结构，而S型是实际结构估计会有人喷。所以还是从简单的角度理解：1.从光激发的角度，就是本来激发一次，现在需要激发两次了，但是好处是本来只能用紫外，现在可以叠加2个可见光完成；2.本来能带窄，没法同时实现氧化还原（要加牺牲剂），现在可以同时发生了。S型的最大好处是改变了能量使用的分布，把原来~4%的吸收拓展到带可见的~50%，即使需要激发两次也可能有25%>4%。这么说能明白不、另外就是不是内建电场导致能带对齐，是能带（费米能级）不对齐就会有电子流动，所以平衡态必然是电子流动导致费米能级拉平，平衡态是电子移动的结果，这个结果导致了平衡态的内建电场。至于外加光外加电，一般先从非平衡态问题入手，如果进一步考虑反应过程的平衡态，就需要重新拉平电子。