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光催化直接Z型半导体异质结和S型半导体异质结的区别
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paodalannn
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[交流]
光催化直接Z型半导体异质结和S型半导体异质结的区别
阅读了好多文献,感觉这两者区别不大啊。。。都是界面处内置电场作用,导致两个半导体费米能级对齐,界面处能带弯曲,较低导带的光生电子和较高价带的空穴在此处复合。。。。而较低的价带和较高的导带则发生氧化还原反应,求大佬解释区别
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1楼
2025-02-23 23:38:11
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Kamiu_MK
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我如果说Z型是臆想结构,而S型是实际结构估计会有人喷。所以还是从简单的角度理解:1.从光激发的角度,就是本来激发一次,现在需要激发两次了,但是好处是本来只能用紫外,现在可以叠加2个可见光完成;2.本来能带窄,没法同时实现氧化还原(要加牺牲剂),现在可以同时发生了。S型的最大好处是改变了能量使用的分布,把原来~4%的吸收拓展到带可见的~50%,即使需要激发两次也可能有25%>4%。这么说能明白不、另外就是不是内建电场导致能带对齐,是能带(费米能级)不对齐就会有电子流动,所以平衡态必然是电子流动导致费米能级拉平,平衡态是电子移动的结果,这个结果导致了平衡态的内建电场。至于外加光外加电,一般先从非平衡态问题入手,如果进一步考虑反应过程的平衡态,就需要重新拉平电子。
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7楼
2025-02-28 09:32:03
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ppchong666
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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7楼
:
Originally posted by
Kamiu_MK
at 2025-02-28 09:32:03
我如果说Z型是臆想结构,而S型是实际结构估计会有人喷。所以还是从简单的角度理解:1.从光激发的角度,就是本来激发一次,现在需要激发两次了,但是好处是本来只能用紫外,现在可以叠加2个可见光完成;2.本来能带窄 ...
那也就是说,Z型异质结和S型异质结是一样的了?那所接触的两种半导体的费米能级位置有没有特殊要求?
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8楼
2025-05-06 09:34:20
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tzynew
2楼
2025-02-23 23:43
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k
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