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光刻胶膜层瑕疵问题
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目的：在硅片上得到圆柱状光刻胶。参数：正性光刻胶AZ4620，每次1000rpm匀胶20um，用棉签沾丙酮去边胶，软烘：90℃15min，再下一次匀胶，重复10次，得到200um厚胶层，曝光机12mJ/平方厘米，曝光200s+400s（曝光200s冷却后再曝光400s），显影用1：4稀释的AZ400K，手动显影：用镊子夹住浸没在显影液并快速搅动，显影时间平均在30min，得到的胶层在显微镜下看到膜层有严重网状裂纹。  发自小木虫手机客户端 |
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