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胡同学@H

新虫 (初入文坛)

[求助] 空位计算带电荷的设置问题已有1人参与

在利用VASP计算空位带有电荷的情况下,出现能量差值过大,具体说就是中性空位能量数值约为-160eV,带有一个电荷的空位体系能量计算为-230eV,带有两个电荷的空位能量计算为-340ev左右,如此大的差值明显不太正确,下面是计算空位带电荷的增加的INCAR参数设置,也不知到是什么原因,请大佬指出,(我的计算体系为二维材料,想模仿图中进行一个计算学习)
# Charged defect settings
NELECT = 353  # Adjust according to the charge state
LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 3
DIPOL = 0.5 0.5 0.5

空位计算带电荷的设置问题
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叠加态_DFT

铁虫 (初入文坛)

二维材料打开偶极子矫正,可以正常运算吗,参数是没问题,最后的哪一行不需要设置
4楼2024-08-13 10:06:36
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十八子

新虫 (正式写手)

2楼2024-08-06 21:52:19
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胡同学@H

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 十八子 at 2024-08-06 21:52:19
vasp算带电体系可靠吗

目前还没有找到更合适的方法,暂且想尝试一下
3楼2024-08-08 12:41:33
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mjianglw

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

针对带电体系的优化,建议先从体相bulk开始摸索下计算流程。NELECT是300多,感觉胞体的尺寸应该挺大,确认价电子的数目是不是正确的
5楼2024-08-19 11:40:45
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