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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 空位计算带电荷的设置问题
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胡同学@H

新虫 (初入文坛)

[求助] 空位计算带电荷的设置问题 已有1人参与

在利用VASP计算空位带有电荷的情况下，出现能量差值过大，具体说就是中性空位能量数值约为-160eV，带有一个电荷的空位体系能量计算为-230eV,带有两个电荷的空位能量计算为-340ev左右，如此大的差值明显不太正确，下面是计算空位带电荷的增加的INCAR参数设置，也不知到是什么原因，请大佬指出，（我的计算体系为二维材料，想模仿图中进行一个计算学习）
# Charged defect settings
NELECT = 353  # Adjust according to the charge state
LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 3
DIPOL = 0.5 0.5 0.5

空位计算带电荷的设置问题
1152212_1325062399_150.jpg
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1楼 2024-08-05 22:41:13
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十八子

新虫 (正式写手)
vasp算带电体系可靠吗

发自小木虫Android客户端
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2楼2024-08-06 21:52:19
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胡同学@H

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 十八子 at 2024-08-06 21:52:19
vasp算带电体系可靠吗

目前还没有找到更合适的方法，暂且想尝试一下
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3楼2024-08-08 12:41:33
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叠加态_DFT

铁虫 (初入文坛)
二维材料打开偶极子矫正，可以正常运算吗，参数是没问题，最后的哪一行不需要设置
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4楼2024-08-13 10:06:36
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mjianglw

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

针对带电体系的优化，建议先从体相bulk开始摸索下计算流程。NELECT是300多，感觉胞体的尺寸应该挺大，确认价电子的数目是不是正确的
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5楼2024-08-19 11:40:45
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