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求助：castep计算的SnTe能带结构与报道文献不符合 已有1人参与
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最近使用Materials studio的castep计算SnTe这类半导体的一些能带和DOS，目的是能够实现接近文献报道的能带结构（重要参考值：带隙和∆EL-Σ），按照多篇文献中给出的参数 和 自己优化的截断能/K网格参数，分别计算了单胞和2x2x2超胞SnTe的能带结构，得到的单胞带隙的值能够与报道的接近，但是能带细节结构仍然与报道文献结果不符，对此问题进行了大量的网络查询/文献查阅/参数变化但都未能解决此问题；具体细节描述如下，希望有大佬可以帮忙解答一下： 1. SnTe单胞计算，原始晶胞参数：Sn4Te4、Fm3m、a=6.32751，先进行了几何优化—参数（默认fine设置）：312.9 ev Energy cutoff + 2x2x2 k-points，优化后晶胞参数a=6.33705；然后对优化后晶体结构进行了能带和DOS计算—参数：350 ev Energy cutoff + 4x4x4 k-points（来源于文献），计算的能带结构如下左1图所示。 另外，进一步调整了不同的截断能和k网格大小以尝试结果此问题，但是仅仅带隙发生了变化，单胞结果的能带图中圈出能带结构不变，总是出现K高对称点对应的能量高于Σ的，导致能带结构与文献报道结果不符，请问这个是什么问题导致的呢？ 2.同步，进行了SnTe 2x2x2超胞的计算，根据体积偏差进行了截断能和k网格的优化，最后选择了400ev + 4x4x4分别进行了几何优化和能带计算，结果如下左2图，这次不仅能带结构变形，而且带隙还出现在了Γ点（其他截断能和k网格参数也是如此），这是什么原因啊？ 十分感谢 |
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