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XPS关于O1s的分析，为什么Si的O1，O2,O3和其他这么不同
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| 看文献里一般O1s的晶格氧一半结合能最低，当产生氧空位时为了保持电中性，金属离子为了保持电中性需要降低价态，而缺位上吸附氧向高结合能方向移动，所以一般O1，O2，O3的结合能排序是O1<O2<O3,对于一般金属利于Zn都是适用的。但为什么Si这么特殊呀，他的晶格氧（Sio2）结合能大概在533 ev，而缺陷氧SiOx和C-O相近在531.8ev左右，而吸附氧就更奇怪了，在534ev左右。呈现一个O2<O1<O3的样子。请问各位大神，为什么Si这么特殊，他的O1，O2，O3到底怎么分的，有什么相关文献吗？求求各位大神不吝赐教！！ |
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