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【求助】掺杂问题
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大家好！希望能和学习掺杂的朋友讨论两个问题，谢谢！ 1、当掺入受主能级时，出现简并态，费米能级进入价带，态密度上可以清楚的显示这一点，但是计算后的结果文件中为什么显示掺入受主杂质后，费米能级的位置却比纯净半导体时费米能级的位置高呢，掺杂后费米能级的位置比没掺杂前高那不是说明移出价带了么？这两个结果是否矛盾呢？我一直在琢磨这个问题。我用的是castep来算的。希望兄弟姐妹能同我讨论一下。 2、同一种杂质掺入一种半导体之后，取代A位的杂质形成能比取代B位置的小，取代A位置时体系的总能却比B位置的总能大，所以我在想，是以那个为标准来判断是优先占据A位还是B位呢？ |
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aylayl08(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来 10-16 19:15
aylayl08(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来 10-16 19:15
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与各位高手讨论 问题一：最好以费米能级作为掺杂前后对比的标准点。一般来说受主杂质都会在价带上方附近产生杂质子带，施主则在导带下发附近产生杂质子带。故而分析杂质带和本征能带与费米能的位置关系较容易理清。比较费米能没很大用处，费米能的变化只说明体系的电子数目发生变化，或者体系的电化学势改变了。对导电性没有直接的关系。 问题二：形成能决定形成难易度，但是楼主的结果让人感觉矛盾，可否说一下你的形成能计算公式？？按说形成能的计算应该包含总能这个量的，特别是你这种同种杂质、同种掺杂对象而位置不同的。跟2楼的兄弟一样的看法和感觉。 [ Last edited by redskywei on 2009-10-15 at 21:35 ] |
8楼2009-10-15 21:34:35
