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liuronglin

铁虫 (著名写手)

[交流] 翻译求助(英到中)

% drift and % fading of the single RADFET, as a function of totao radiation induced shift in V, is similar to that of the stacked structure.
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中国万岁！
1楼 2009-10-04 11:51:09
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chengcj.2008

至尊木虫 (知名作家)
★
liuronglin(金币+1,VIP+0): 10-6 16:33
最好加些上下文内容, 否则有点摸不着头脑.
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2楼2009-10-05 11:22:06
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164711478

木虫 (小有名气)
★
liuronglin(金币+1,VIP+0): 10-6 16:33
单一RADFET的漂移和衰落，totao辐射在V中诱发的漂移如一个函数，类似层叠结构

只能翻成这样了，这个确实让人摸不到头脑，没上下文好几个词都不知道什么意思
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点火继续事关荣誉我除了第一其他没有兴趣！
3楼2009-10-06 07:20:38
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bote

★
liuronglin(金币+1,VIP+0): 10-6 16:33
引用回帖:
Originally posted by liuronglin at 2009-10-4 11:51:
% drift and % fading of the single RADFET, as a function of totao radiation induced shift in V, is similar to that of the stacked structure.

作为诱导(电压)V移动的总幅射的函数，单只幅射场效应三极管的漂移百分比和退化百分比和叠垛结构的相似。
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4楼2009-10-06 10:45:02
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bote

★ ★ ★
liuronglin(金币+1,VIP+0): 10-6 16:33
zap65535(金币+2,VIP+0):补发 12-22 11:44
引用回帖:
Originally posted by bote at 2009-10-6 10:45:


作为诱导(电压)V移动的总幅射的函数，单只幅射场效应三极管的漂移百分比和退化百分比和叠垛结构的相似。

or
作为诱导(电压)V移动的总幅射的函数，单结构幅射场效应三极管和叠垛结构具有相似的漂移百分比和退化百分比。

[ Last edited by bote on 2009-10-6 at 12:42 ]
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5楼2009-10-06 10:57:07
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