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heavence007

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[交流] 【求助】求助：要做AFM前硅片怎么处理和旋涂？已有10人参与

最近准备做AFM，样品需要旋涂在硅片上，硅片需要预处理一下，不知道怎么处理，求助一下各位！
还有我需要用的硅片应该是怎样的？只是用来做衬底的。今天问了下有很多种价格，都说很平整，但是为什么价格差那么多呢？

[ Last edited by heavence007 on 2009-9-16 at 19:03 ]

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1楼 2009-09-16 18:47:11

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plum8736

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引用回帖:

Originally posted by heavence007 at 2009-09-16 18:47:11:
最近准备做AFM，样品需要旋涂在硅片上，硅片需要预处理一下，不知道怎么处理，求助一下各位！
还有我需要用的硅片应该是怎样的？只是用来做衬底的。今天问了下有很多种价格，都说很平整，但是为什么价格差那么多 ...

RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化

我们都是用浓硫酸双氧水７：３沸水浴３０分钟
H2O2/H2SO4(3:7)超声20分钟，超纯水洗，N2吹干
H2O2/H2SO4=3:7在90摄氏度煮一小时，冷却后用水超声清洗三遍，氮气吹干就可以，处理后的表面是羟基化的表面