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W.T.Song

[交流] 【请教】请教如何更好地制备Si衬底的TEM样品

请教高手,我想对Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备的薄膜样品进行TEM测量,可几次磨样品都不成功,主要是离子减薄的过程中没有减出孔,或者减出孔却看不到我想看的薄膜花样,请教有减薄经验的高手,如何减能更好的得到TEM样品,谢谢
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W.T.Song

引用回帖:
Originally posted by hand1980 at 2009-9-23 08:26:
怎么会减不出孔呢,继续减啊,你凹坑凹到多厚上的减薄,尽量凹的薄一些再减薄,是截面样还是平面样

高手,是平面样,主要是想看它的晶化程度,我确实应该先挖坑,不过是硅片,我怕碎,所以一直干磨到40微米,再减的,主要是想请教减薄的过程中是不是有什么说道,怎么设置能减的更好。
9楼2009-10-05 08:33:04
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bryano

木虫 (正式写手)

我看lz就是高手。
2楼2009-09-15 15:19:43
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W.T.Song

高手就不能这么郁闷了,呵呵
3楼2009-09-15 15:23:12
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leking137joey

金虫 (正式写手)

材料小生

你想看什么?你的衬底和镀层各有多厚?要知道TEM的样品薄区时很小的一个范围,有时候就是几个晶粒~~
材料热力学;材料微观表征;TEM;
4楼2009-09-17 18:41:34
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