| 查看: 968 | 回复: 3 | |||
shzdarker新虫 (初入文坛)
|
[求助]
对二维材料单层MoS2掺杂过渡金属，计算形成能时 已有1人参与
|
|
.大家好！我有个问题向大家请教一下！ 对二维材料单层MoS2掺杂过渡金属，计算形成能时 E(形成能)=E(替位掺杂Mo原子的体系，也就是掺杂后的体系)-E(没有掺杂的体系，也就是二硫化钼的体系)-u(过渡金属)+u(钼) 前面几项明白什么意思。最后一项不知道什么意思，下面是文献对该项的解释。我的问题：①这个硫富条件和钼富条件是什么意思。②：如果是S富条件下 这个最后一项是怎么算的 For Mo-rich condition, μMo is taken as the energy of a Mo atom in its stable fcc lattice and for S-rich condition μMo is determined from the energy difference between a S2 molecule and one MoS2 unit. |
回复此楼
|
本帖内容被屏蔽 |
2楼2022-09-05 21:42:24
DFTgroup
新虫 (初入文坛)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 35.8
- 帖子: 17
- 在线: 14.9小时
- 虫号: 30939494
- 注册: 2022-08-26
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2022-09-07 22:42:05
shzdarker
新虫 (初入文坛)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 13.5
- 帖子: 15
- 在线: 25.6小时
- 虫号: 27961884
- 注册: 2021-12-15
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2022-09-19 20:29:38