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shzdarker新虫 (初入文坛)
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对二维材料单层MoS2掺杂过渡金属，计算形成能时 已有1人参与
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.大家好！我有个问题向大家请教一下！ 对二维材料单层MoS2掺杂过渡金属，计算形成能时 E(形成能)=E(替位掺杂Mo原子的体系，也就是掺杂后的体系)-E(没有掺杂的体系，也就是二硫化钼的体系)-u(过渡金属)+u(钼) 前面几项明白什么意思。最后一项不知道什么意思，下面是文献对该项的解释。我的问题：①这个硫富条件和钼富条件是什么意思。②：如果是S富条件下 这个最后一项是怎么算的 For Mo-rich condition, μMo is taken as the energy of a Mo atom in its stable fcc lattice and for S-rich condition μMo is determined from the energy difference between a S2 molecule and one MoS2 unit. |
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2楼2022-09-05 21:42:24
DFTgroup
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shzdarker
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