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ilmondo金虫 (小有名气)
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量子阱光致荧光强度局部降低的问题 已有1人参与
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本人在GaAs衬底上MOCVD生长的AlGaInP/GaInP MQW，做了室温PL mapping，发现局部荧光强度下降，多数如斑点状或线状。奇怪之处是，整片的波长均匀性很好，说明外延层组分均匀。 对样品用Candela做了光学测试。光致荧光强度低的区域在散射光(Sc)信号的map中几乎能一一对应，呈弱信号(即更暗); 这说明较其他区域的表面更光滑吗？同时，在Z contrast信号强度(Sp)的map中也能一一对应，呈强信号(即更明亮); 这说明较其他区域的表面呈隆起状吗？ 有图有真相，请见网盘附件 (链接: https://pan.baidu.com/s/187jySYnC3VUVBc618svfdQ?pwd=vdib 提取码: vdib) 这些异常区域是怎么回事呢？请各位高手点拨！ |
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