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ilmondo

金虫 (小有名气)

[求助] 量子阱光致荧光强度局部降低的问题 已有1人参与

本人在GaAs衬底上MOCVD生长的AlGaInP/GaInP MQW,做了室温PL mapping,发现局部荧光强度下降,多数如斑点状或线状。奇怪之处是,整片的波长均匀性很好,说明外延层组分均匀。

对样品用Candela做了光学测试。光致荧光强度低的区域在散射光(Sc)信号的map中几乎能一一对应,呈弱信号(即更暗); 这说明较其他区域的表面更光滑吗?同时,在Z contrast信号强度(Sp)的map中也能一一对应,呈强信号(即更明亮); 这说明较其他区域的表面呈隆起状吗?

有图有真相,请见网盘附件 (链接: https://pan.baidu.com/s/187jySYnC3VUVBc618svfdQ?pwd=vdib 提取码: vdib)

这些异常区域是怎么回事呢?请各位高手点拨!
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2楼2022-09-11 09:46:53
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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

“局部荧光强度下降”

一开始均匀,后来下降?
停止激发一段时间,重新照射,分布有变化吗?

如果都是YES,散热因素大概率
sunyu730_emuch@126.com
3楼2022-10-11 11:50:50
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