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为什么铁电存储器的工艺节点只能做到130nm?
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为啥铁电存储器的工艺节点要比DRAM等存储器的工艺节点大那么多?我看文章说跟铁电薄膜的厚度有关,但没细述,有大佬解释一下吗,最好推荐几篇文献看看。感谢 发自小木虫Android客户端 |
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基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
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