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为什么铁电存储器的工艺节点只能做到130nm？
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为啥铁电存储器的工艺节点要比DRAM等存储器的工艺节点大那么多？我看文章说跟铁电薄膜的厚度有关，但没细述，有大佬解释一下吗，最好推荐几篇文献看看。感谢 发自小木虫Android客户端 |
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